ポアセンサモジュール

Aipore AIAipore AI

高精度

半導体Siポアで
高い再現性を実現。

Siウェハ上に形成した厚さ約50nmのSiN薄膜に、フォトリソグラフィで穴を開けることで高精度ポアを実現。ポアの形状は、ほぼ円。ポア径精度は±10%以内。従来の電気抵抗細孔法のポアに比べて圧倒的に高精度。このことで、パルスのバラツキを抑え、再現性の高いパルスの取得が可能に。この結果、標準粒子によるキャリブレーションなしでの、粒径絶対値推定や粒子形状推定を実現。

ポア径精度

±10%以内

Siポア厚精度

±10%以内

株式会社朝日ラバー製
ポアモジュール(パルス計測)
電極外付けタイプ
(ティーイーアイソリューションズ株式会社製Siポアチップ利用)

NOK株式会社製
ポアモジュール(パルス計測)
電極内蔵タイプ (ティーイーアイソリューションズ株式会社製Siポアチップ利用)

パルス計測製品

ポア径ポア厚朝日ラバーNOKおおよその適用粒子径
100nm50nmM-NK-100-A016-001-Pm30nm〜80nm
300nm50nmM-AS-300-A002-003-PmM-NK-300-A016-001-Pm90nm〜240nm
600nm50nmM-AS-600-A002-002-PmM-NK-600-A016-001-Pm180nm〜480nm
900nm50nmM-AS-900-A002-002-PmM-NK-900-A016-001-Pm270nm〜720nm
1.2um50nmM-NK-1200-A016-001-Pm360nm〜960nm
3.0um50nmM-AS-3000-A002-002-PmM-NK-3000-A016-001-Pm900nm〜2.4μm
5.0um50nmM-NK-5000-A016-001-Pm1.5μm〜4μm
10um50nmM-NK-10000-A016-001-Pm3μm〜8μm

※粒子通過パルスの計測は、電荷やバッファ中の粒子の状態をはじめとした様々な条件に依存します。すべての粒子についてパルスが計測できることを保証するものではありません。
※適用粒子径は目安です。穴径より大きな粒子は通過しませんが、適用粒子径の範囲より小さいものは、凝集状態等によってパルスが計測できることがあります。諦めず、実験をしてみることをお勧めします。
※朝日ラバー、NOK製品は電極構造が異なるだけで、利用されているSIポアチップ、基本構造は変わりません。また、用途毎の向き不向きについても、現時点では特段報告されていません。

使い方

誰でも、
すぐにパルスを計測

高精度の半導体Si薄膜ポアを介して、上下に配置された親水性のゴム材によるマイクロ流路が接続された構造です。上流路には緩衝液を、下流路には検体粒子を緩衝液中に懸濁して、各々注入口より導入します。その後、ソケットに入れて、計測器に装着すれば計測開始。簡単にパルスの計測を始められます。

使い方動画を見る

試料導入からパルス出しまで

たったの数分

データ管理

センサのシリアル番号で
計測データを管理

ポア径などのセンサの仕様は、目視ではわかりません。アイポア微粒子計測ソリューションでは、これをセンサ背面に貼付したシリアルコードで管理。計測時にこれを読み取ることで、システム上でデータを簡単に管理できます。なお、青色のシールの付いたポアセンサモジュールは、AI機能の付いていないパルス計測となります。AI粒子識別を必要とする場合には、赤色のシールの付いた、AI識別ポアセンサモジュールをお使い下さい。

アイポアパルス計測のポアセンサモジュール